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利用存在孤立柵極偏置把控好的并行傳輸晶胞管的GaN HEMT放小器的線形強化

公布期限：2018-05-04 13:53:07     打開網頁：9182

Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：操作擁有自主柵極偏置設定的串并聯單晶體管的GaN HEMT縮放器的線性網絡改善。 GaN HEMT兼備較高的傳輸電機轉換容重和較寬的下行帶寬的效率。而且，GaN HEMT的規則化典型案例地比GaAs元器的規則化更差。本段說出一個多種十分簡單的手段來增進GaN HEMT的規則化度。所說出的手段是將元器劃分出與人格獨立抑制的柵極偏置端電壓串聯的多種子模塊，如果將電機轉換合作為子模塊傳輸。原來縮放器..
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