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LTC3623 是一(yi)款高效(xiao)率(lv)、單片式、同步降壓(ya)(ya)型(xing)穩壓(ya)(ya)器，其(qi)輸(shu)出電(dian)壓(ya)(ya)利(li)用單個(ge)外(wai)(wai)部電(dian)阻器進行設置(zhi)。在 ISET 引腳(jiao)(jiao)上具有內部生成(cheng)(cheng)的(de)(de) 50μA 準確電(dian)流(liu)源，因(yin)而(er)允許用戶(hu)設置(zhi)一(yi)個(ge)范(fan)(fan)圍為(wei) 0V 至(zhi) VIN – 0.5V 的(de)(de)輸(shu)出電(dian)壓(ya)(ya)。另外(wai)(wai)，用戶(hu)還能用一(yi)個(ge)外(wai)(wai)部電(dian)壓(ya)(ya)電(dian)源直(zhi)接驅(qu)動 ISET 引腳(jiao)(jiao)以(yi)設置(zhi)轉換器的(de)(de) VOUT。VOUT 電(dian)壓(ya)(ya)直(zhi)接回饋(kui)至(zhi)誤差放大(da)器，以(yi)被調節(jie)至(zhi) ISET 電(dian)壓(ya)(ya)。SVIN引腳(jiao)(jiao)的(de)(de)工作電(dian)源電(dian)壓(ya)(ya)范(fan)(fan)圍為(wei) 15V 到低至(zhi) 4V，而(er) PVIN 引腳(jiao)(jiao)的(de)(de)電(dian)壓(ya)(ya)范(fan)(fan)圍則為(wei) 15V 到低至(zhi) 1.5V，從而(er)使其(qi)成(cheng)(cheng)為(wei)雙鋰(li)離子(zi)電(dian)池和(he)從一(yi)個(ge) 12V 或 5V 電(dian)壓(ya)(ya)軌獲取電(dian)源的(de)(de)合適(shi)之選。

該器(qi)件的(de)(de)工作頻(pin)率(lv)可利用(yong)一個(ge)外部 RT 電(dian)(dian)阻器(qi)設置(zhi)在(zai) 400kHz 至 4MHz 的(de)(de)范圍內。較(jiao)高的(de)(de)開關頻(pin)率(lv)允許使用(yong)較(jiao)小的(de)(de)表面(mian)貼裝型(xing)電(dian)(dian)感器(qi)，而較(jiao)低的(de)(de)頻(pin)率(lv)則可實現(xian)較(jiao)高的(de)(de)功率(lv)效率(lv)。獨特的(de)(de)恒定(ding)頻(pin)率(lv) / 受控(kong)接(jie)通時間(jian)架構非常適合于(yu)那些既在(zai)高頻(pin)率(lv)下運作、同(tong)時又(you)要(yao)求快速(su)負載瞬態響應的(de)(de)高降壓比應用(yong)。

• 跟蹤電源或 DDR 存儲器電源
• ASIC 襯底偏置
• 負載點 (POL) 電源
• 便攜式儀表、電池供電型設備

• 熱電冷卻器 (TEC) 系統

優(you)點和優(you)點

• 可采用單個電阻器設置的 VOUT：0V 至 VIN – 0.5V
• Silent Switcher®架構
• IISET 準確度：±1%
• 可在整個 VOUT 范圍內實現嚴緊的 VOUT 調節
• 輸出電流監視器準確度：±5%
• 可編程導線壓降補償
• 容易并聯以實現較高電流和熱散
• 輸入電源電壓調節環路
• 高效率：達 96%
• 輸出電流：±5A
• 集成型 N 溝道功率 MOSFET (60mΩ 上管和 30mΩ 下管)
• 可調的開關頻率：400kHz 至 4MHz
• VIN 范圍：4V 至 15V
• 電流模式操作以實現超卓的電壓和負載瞬態響應
• 停機模式吸收 <1μA 的電源電流
• 扁平 24 引腳 3mm x 5mm QFN 封裝