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ADRF5132是款高(gao)電率(lv)(lv)、漫反射(she)、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單(dan)極、雙擲（SPDT）漫反射(she)旋鈕，選擇無接地(di)線單(dan)單(dan)從表面貼裝裝封形態。該(gai)互換機(ji)很大適用于高(gao)電機(ji)功率(lv)(lv)和(he)蜂(feng)窩狀(zhuang)根本場地(di)設施施工應(ying)運，如長的(de)時間(jian)發(fa)展(zhan)史（LTE）信號(hao)塔主設備。ADRF5132要具備35 dBm LTE的(de)高(gao)工作電壓處置的(de)效率(lv)(lv)（在105°C下(xia)的(de)對數(shu)正態分布典型案例值(zhi)），2.7 GHz下(xia)0.6 dB的(de)低加入(ru)材料耗(hao)費，65 dBm的(de)鍵(jian)入(ru)三階(jie)截距（經典值(zhi)）和(he)42.5 dBm的(de)0.1 dB收(shou)縮(suo)（P0.1dB）。

ADRF5132板(ban)上電(dian)源線電(dian)路(lu)板(ban)在5V的(de)一個正電(dian)源開關的(de)電(dian)壓和1.1mA的(de)典(dian)型示(shi)范交流(liu)(liu)電(dian)源直(zhi)流(liu)(liu)電(dian)下啟動，使ADRF5132擁有通過pin整(zheng)流(liu)(liu)二極管的(de)旋轉開關的(de)良(liang)好化(hua)同類產品(pin)(pin)品(pin)(pin)。

ADRF5132建議選用達到RoHS基準的(de)寬(kuan)敞(chang)型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封裝類型的(de)形(xing)式。

的特點

全(quan)可逆(ni)性，50?的設計

低加入(ru)耗用：2.7 GHz時典(dian)型(xing)案例為0.6 dB

TCASE=105°C時的高功效避免

長時光（>10年(nian)啟動(dong)）

最(zui)多功(gong)效：43 dBm

CW熱效率：38 dBm

LTE峰(feng)峰(feng)值馬(ma)力(li)（8 dB標準(zhun)化桿數）：35 dBm

單新聞(wen)（<10秒運行）

LTE閥值瓦(wa)數（8 dB規范標(biao)準桿數）：41 dBm

高平滑度

P0.1dB:42.5 dBm具代表性值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的常見臨界值65 dBm

ESD額定負載值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正電源開關：5V

順向管理(li)，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP封裝的方(fang)式的方(fang)式

應用

蜂(feng)窩狀(zhuang)/4G根基場地設施基本建(jian)設

移動網上框架的(de)設(she)施(shi)的(de)建(jian)設(she)

軍事(shi)訓練(lian)和高安(an)全經濟性技術應用(yong)

自測機器設備

Pin二級管修改

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