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ADRF5026一種非反射面、單極、雙擲（SPDT）頻射（RF）按鈕開關，適用硅流程技術應用。

ADRF5026的(de)幀率(lv)面積為(wei)100 MHz至44 GHz，復制(zhi)到損(sun)失高與3.8 dB，隔開度為(wei)45 dB。ADRF5026符(fu)合全關控住設(she)備，中僅好幾個(ge)RF端口號都進(jin)入(ru)到一個(ge)隔離方式。ADRF5026選擇非漫反(fan)射(she)的(de)設(she)計，3個(ge)頻(pin)射(she)表層均內端接至50Ω。

ADRF5026需+3.3 V和-3.3 V的雙電(dian)源(yuan)線直流電(dian)壓(ya)。ADRF5026配用互(hu)補性彩石(shi)空(kong)氣(qi)氮化合物半導體(ti)設(she)備/高壓(ya)單晶體(ti)管方式（CMOS/LVTTL）方法論兼(jian)容把握。

ADRF5026與ADRF5027粉紅噪聲截至版(ban)本號管腳兼(jian)容，概(gai)率范圍內(nei)為9 kHz至44 GHz。

ADRF5026rf射(she)頻(pin)端口設置往(wang)往(wang)用(yong)以匹配(pei)50Ω的(de)(de)特征參數電位差(cha)。對於過寬頻(pin)好產品(pin)，頻(pin)射(she)統(tong)計(ji)數據網(wang)上營銷(xiao)的(de)(de)電位差(cha)匹配(pei)好是可以進(jin)那步改(gai)進(jin)中頻(pin)段進(jin)到這(zhe)一(yi)領域消(xiao)耗和回(hui)波消(xiao)耗效(xiao)果。

ADRF5026使用(yong)的(de)(de)20絕緣端子(zi)、3 mm×3 mm、滿足需要RoHS原則(ze)的(de)(de)焊盤柵(zha)格陣列（LGA）打包封裝，夠在-40°C至+105°C的(de)(de)溫暖范圍之內內工作上(shang)。

特征描述

寬度屢(lv)(lv)屢(lv)(lv)率區(qu)間：100 MHz至44 GHz

非全反射開發

低添加圖片不足

1.2 dB至18 GHz

1.7 dB至(zhi)26 GHz

2.4 dB至40GHz

3.8 dB至(zhi)44 GHz

非常隔開

55 dB至18 GHz

53 dB至26 GHz

50 dB至40GHz

45 dB至44 GHz

高錄入直線度

P1dB:27 dBm典型性值(zhi)

IP3:53 dBm典型案(an)例值

高熱效率妥善處理

24 dBm插入(ru)圖衰減新線路

24 dBm分隔電纜線

全關畢階段的控制

無低頻雜散數字信號

0.1 dB微波射頻(pin)相對(dui)穩定時(shi)長：非(fei)常典(dian)型值一般選擇40 ns

20接插件，3mm×3mm LGA打包封裝

管腳(jiao)與(yu)ADRF5027兼容(rong)，中頻到(dao)版(ban)

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