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公(gong)布的時光(guang):2025-04-18 16:46:24 手機瀏覽(lan):491
LTM8061 和(he) TPS82130 是兩種方式應(ying)對有差異 應(ying)用軟(ruan)件情景設計構思的交流(liu)電源管理制度心(xin)片,依次出于(yu) ADI(亞德諾光電器件)和TI(德州市設(she)備(bei))。LTM8061或(huo)TPS82130或(huo)許須要被充當,最主要是由于它(ta)是在(zai)所在(zai)感(gan)應電(dian)流(如2A-3A)、速率、散熱(re)管能力素質或(huo)圖片尺寸(cun)上不可能充分考(kao)慮更高的穩定性使用需求,而是主要是因(yin)為出售鏈、人工(gong)成本(ben)狀況促使供貨周期不增強;而MUN3C1DR6-SB24v電源信息(xi)模塊(Cyntec)能可以提供更(geng)多電(dian)壓(ya)、高利用率(lv)、更(geng)小(xiao)重量或良好(hao)散(san)熱(re)片(pian)理,同一時(shi)間不(bu)支持更(geng)現化化的(de)數字化掌握功能性(xing),為了(le)習慣(guan)更(geng)嚴(yan)酷的(de)企業(ye)、貨車(che)或攜便式機械應運(yun)符(fu)合要(yao)求。
技術性參數(shu)指標相比
技術指標(biao) | MUN3C1DR6-SB | LTM8061(ADI) | TPS82130(TI) |
鍵入(ru)電流位置 | 2.7V至5.5V | 2.375V至20V | 2.5V至(zhi)5.5V |
輸送電阻 | 統一1.2V | 0.6V至5.5V(可調式) | 0.6V至5.5V(能調) |
導出電壓 | 明顯600mA | 更(geng)大2A | 更(geng)大1A |
芯片封裝狀(zhuang)態 | 4-SMD(2.5mm×2.0mm×1.1mm) | BGA或LGA(規格稍大) | WSON(3mm×3mm×1.6mm) |
守護工作 | 內部設置(zhi)欠壓綁定(UVLO)、過流護(hu)理(OCP) | 內(nei)嵌式(shi)電感、MOSFET和(he)補嘗(chang)電源線路(lu),支(zhi)持(chi)系統遠控(kong)觸點開(kai)關和(he)許(xu)多種(zhong)保護(hu)性功(gong)效(xiao) | 內(nei)置電感、MOSFET和應對電路(lu)系統,支持軟(ruan)件手機(ji)遠程按鈕和環保模式(shi)英文,快速率(上限94%) |

應用MUN3C1DR6-SB電源適(shi)配器接口(kou)充(chong)當LTM8061或TPS82130的首要誘因也包括(kuo)成本投入勝(sheng)機、要貨安全性、小(xiao)化制定訴求包括(kuo)功能模塊更換性。
一、人(ren)工成(cheng)本勝機
可(ke)以直接料工(gong)費(fei)大大減少:MUN3C1DR6-SB的出(chu)廠價更為(wei)明顯大于(yu)LTM8061和TPS82130,特別是在在數百(bai)名量的采(cai)購(gou)時,利潤相互影(ying)響可達到30%-50%。
隱性成本費用增多:國(guo)產項(xiang)目包塊的消費(fei)稅和貨(huo)運部制造(zao)費(fei)更低,且必須(xu)承擔(dan)者知名(ming)項(xiang)目溢(yi)價率,進一點縮短總制造(zao)費(fei)。
二(er)、購貨安全(quan)性(xing)
批(pi)售鏈風(feng)險(xian)性應對:受全球(qiu)出口貿易熱脹冷縮和(he)(he)豬疫等反(fan)應反(fan)應,TI和(he)(he)ADI的收貨周期(qi)怎么算(suan)延長時(shi)間至(zhi)20周及以上,而(er)MUN3C1DR6-SB的供貨生長期(qi)穩定的在(zai)8-12周,且地方應用(yong)具有現貨平臺庫存盤點。
民(min)族化化的支持:國內(nei)經銷商可帶來更迅速(su)速(su)的(de)積極響應和技術性可以,少因(yin)生產商鏈(lian)中止促使的(de)好項目拖延問題(ti)。
三、超智能(neng)化裝修(xiu)設計需(xu)求量
裝(zhuang)封盡寸特點(dian):MUN3C1DR6-SB用于4-SMD打(da)包(bao)封(feng)裝(zhuang)(2.5mm×2.0mm×1.1mm),較(jiao)LTM8061的(de)BGA封(feng)裝(zhuang)類型(xing)和TPS82130的(de)WSON二(er)極管封(feng)裝(zhuang)更(geng)小,滿足(zu)對空(kong)間需(xu)求嚴于的(de)適(shi)用場景中(如(ru)可穿裝(zhuang)設備、化工業感知器)。
集成(cheng)型度(du)提拔:該控制(zhi)器自帶(dai)電(dian)感、MOSFET和補(bu)嘗電(dian)源(yuan)線路,簡易(yi)周圍電(dian)源(yuan)線路構(gou)思,變少PCB平數占用量。
四、功能(neng)鍵適(shi)用性
的性(xing)能(neng)技術參數識別:在(zai)復制粘貼(tie)電(dian)阻區域(2.7V-5.5V)、打出電(dian)流值(1.2V進行固(gu)定)和有效率(高92%)等關鍵所在(zai)招(zhao)生指標上,MUN3C1DR6-SB可充分(fen)滿足大(da)一部(bu)分(fen)中低(di)阻抗采用(yong)消(xiao)費需求。
保(bao)養能(neng)力復蓋:內(nei)置式欠(qian)壓自動隱藏(UVLO)、過(guo)流養(yang)護(OCP)和(he)熱關(guan)斷功能(neng)模塊,雖遠(yuan)不如LTM8061新一輪,但已所覆蓋(gai)部分企業(ye)級(ji)軟件場面。
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