AM032MH4-BI-R是GaAs HIFET的BI編的是一位置。HiFET就是一種部份切換的專屬了裝置調試,主要用于直流電、大電功率和網絡帶寬APP。該構件的總裝置周邊為12.8公厘。AM032MH4-BI-R專為高效率微波加熱app而設計構思,本職工作概率達到了6GHz。BI系統所主要包括特俗設計制作的瓷器裝封,拉伸或挺直的引線和卡箍所主要包括插進式施工方式。內包裝左下角的卡箍而且算作直流電源等電位連接、rf射頻等電位連接和熱車道。此種HiFET適用RoHS規則。
表現形式
28伏漏極偏壓
帶寬環節識別:DC–2.4GHz
可高達6GHz的高頻率運營
高增加收益:G=19dB@2GHz
高電功率:P1dB=35dBm@2.0GHz
高線性網絡:IP3=50dBm@2.0GHz
合理有效蒸發器的工業陶瓷打包
采用
聯通寬帶使用
髙壓20至28V
無線數字本地化環交通網絡
PC移動信號塔
WLAN、中繼器和超無線局域網
Ck線VSAT
航空運輸電子器件網絡通訊