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芯片衰減器

更重要性能參數

集成ic衰減器,上限250瓦，上限18 GHz，標準衰減器在所有的溫度下勻稱等地降低了RF輸出功率，而溫度可調心片設計的概念為在較高溫度下減低其衰減，以供給的信號調平運用需要的最加為了響應。團狀衰減器于圖像電壓放大器三極管，推送器，上/下轉換成器，相位配對陣列和控制開關運用。選擇需要的尺寸規格，不錯在有點薄或厚熱敏電阻的BeO，氮化鋁或陽極三氧化二鋁陶瓷圖片上制造技術心片。

品牌：MACOM

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心片衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040