CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備運用UMMS 0.25μm效率pHEMT技術造成,也包括借助的基板的通孔和空氣中橋。
要為簡單制造步驟:
基帶芯片的正面同一微波射頻和直流電等電位連接
焊盤和背后均鍍銀,以與共晶電子器件支承的辦法和熱壓鍵合工序兼容。
CHA7114-99F 擴大器– HPArf射頻速率(GHZ): 8.5-11.5增益控制(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB模擬輸出(dBm):-的輸出工作電壓(dBm):39.8訂購交貨時間:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備運用UMMS 0.25μm效率pHEMT技術造成,也包括借助的基板的通孔和空氣中橋。
要為簡單制造步驟:
基帶芯片的正面同一微波射頻和直流電等電位連接
焊盤和背后均鍍銀,以與共晶電子器件支承的辦法和熱壓鍵合工序兼容。