CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)電(dian)路板(ban)進(jin)行要求(qiu)的pHEMT生產工藝研發:柵極厚度0.25μm,經過基(ji)鋼板(ban)的通(tong)孔(kong),空氣(qi)中橋和(he)微(wei)電(dian)子束柵幻影刻。
微波通信元元件
CHA3666-99F 放大器(qi)– LNA
頻射上行速率(GHZ): 6 - 17收獲(dB):21增益值同軸度(dB):0.5躁音指數公式(dB):1.8P-1dB內容輸出(dBm):17定購交貨時間:3-4周CHA3666-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該(gai)電(dian)路板(ban)進(jin)行要求(qiu)的pHEMT生產工藝研發:柵極厚度0.25μm,經過基(ji)鋼板(ban)的通(tong)孔(kong),空氣(qi)中橋和(he)微(wei)電(dian)子束柵幻影刻。