CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該(gai)電線使用pHEMT工(gong)藝(yi)制作(zuo),柵極高度為0.25μm,采(cai)用的基板的通孔,氣體橋和光電子束柵流星刻(ke)工(gong)藝(yi)制作(zuo)。
它(ta)以符合(he)要求RoHS的SMD裝封給予。
微波射頻元元器
CHA3688aQDG 放(fang)大(da)器– LNA
rf射頻帶寬的配置(GHZ):12.5-30增益值(dB):26增加收益同軸度(dB):2背景噪聲標準值(dB):2P-1dB輸送(dBm):14進貨交貨期:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該(gai)電線使用pHEMT工(gong)藝(yi)制作(zuo),柵極高度為0.25μm,采(cai)用的基板的通孔,氣體橋和光電子束柵流星刻(ke)工(gong)藝(yi)制作(zuo)。
它(ta)以符合(he)要求RoHS的SMD裝封給予。