CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路原理(li)是在SiC襯底(di)上選用0.25μm柵極大小的GaN HEMT技術(shu)(shu)性(xing)制(zhi)造技術(shu)(shu)的。
它以裸(luo)IC芯片形勢提出者,而且須得內(nei)部輸(shu)入(ru)控制電路。
徽波元集成電路芯片
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶(jing)體管
Glin(dB)@次數(GHz): 17 @ 9工作中頻段(GHz): 較多18飽和點最大功率(W): 20PAE(%)@速率(GHz): 68 @ 9定購交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路原理(li)是在SiC襯底(di)上選用0.25μm柵極大小的GaN HEMT技術(shu)(shu)性(xing)制(zhi)造技術(shu)(shu)的。
它以裸(luo)IC芯片形勢提出者,而且須得內(nei)部輸(shu)入(ru)控制電路。