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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管
非常重要性能

CHK8101a99F  氮化鎵功率(lv)晶體管(guan)

Glin(dB)@的頻率(GHz): 14 @ 6運行次數(GHz):比較多6個呈現飽和狀態功效(W):  20PAE(%)@率(GHz): 60 @ 6購貨交貨:3-4周

品牌:UMS微波

類產品詳細情況解釋

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該(gai)產品為雷達(da)天線和聯通(tong)等種(zhong)種(zhong)RF24v電(dian)源(yuan)應用軟件作為通(tong)用性(xing)和網絡帶寬徹(che)底解決規劃。

它是針對SiC襯底(di)上的(de)(de)0.5μm柵(zha)長(chang)GaN HEMT的(de)(de)技(ji)術服(fu)務管理的(de)(de),和獨特具備RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006匯編指令的(de)(de)相關(guan)規定。

它以裸(luo)單片機芯片的形式確立,而且需內部自動(dong)匹配線(xian)路。