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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管

注重技術指標

CHK9013-99F 氮化鎵功率(lv)晶體管(guan)

Glin（dB）@工作頻率（GHz）： 18 @ 6崗位幀率（GHz）：很多9個達到飽和狀態電率（W）： 88PAE（％）@頻繁（GHz）： 65 @ 6定購交貨期：3-4周

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CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該的產(chan)品為統計和鐵通等各方面RF電利用可以提供統一和寬(kuan)帶網解決(jue)辦(ban)法規劃。

該電(dian)路原理是在(zai)SiC襯底上分為0.25μm柵長的GaN HEMT方法創造的。

它(ta)以裸處(chu)理芯片模式(shi)說出，和必須(xu) 外鏈符合用電線路。