美女一区二区三区-一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

最重要性能參數

CHZ180AaSEB 內部匹(pi)配的GAN功(gong)率晶體管

微波射頻上行寬帶（GHz）： 1.2-1.4小走勢增加收益（dB）：20最大功率（W）：200各種相關增益控制（dB）： > 14P-1dB所在（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨：3-4周

設備詳細信息解紹

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

極(ji)其滿足(zu)脈沖激光聲納選用。

CHZ180AaSEB是(shi)在0.5μm柵長的(de)GaN HEMT藝上系統闡述的(de)。它系統設計準MMIC技術水平。

它選用(yong)密封膠法蘭盤(pan)陶(tao)瓷圖片塑料電(dian)源開關封裝類(lei)型，可帶(dai)來了低內(nei)寄生和低傳熱系數。