美女一区二区三区-一区二区亚洲-亚洲国产一区二区三区-亚洲一区在线播放

EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口(kou)長寬(kuan)比為(wei)120μm，0.15毫米。T形全(quan)鋁攔污(wu)柵極具低熱(re)敏電阻和出眾的牢靠性。

該集成電路芯片展現出(chu)十分高(gao)的跨導，因(yin)而形(xing)成十分高(gao)的速度和低燥(zao)音(yin)性能參數(shu)。

它以處理芯(xin)片的方(fang)式供給，帶有(you)能(neng)夠孔相連(lian)的源極，僅(jin)需限制(zhi)柵線和漏極線。