X3C21P1-03S都是個低站姿,高特點的3dB分層耦合電路器在一種新的也容易利用,打造和睦的外壁連接芯片封裝。它是為LTE和WIMAX頻段操作領域而制作的。該X3C21P1-03S是專為穩定工作電壓和低噪音污染變大器,加之移動信號分派和別的需用低進到這一領域損失和密封的振動幅度和相位穩定的操作領域而制作的。它能使用自由高達110瓦的高工作電壓操作領域。所需要的零部件逐漸過嚴格執行的簽別測式,等等食品是適用熱澎脹比率(CTE)的資料造成的,等等資料與FR4、G-10、RF-35、RO4003等普通材料的特性兼容
中文名字
微波射頻元集成電路芯片