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XC2100E-03S也是款低剖面、高耐腐蝕性20dB專向交叉耦合電路器，用到新適于用、造成友好合作的外觀安轉芯片封裝。它是為UMTS和相關3G選用而結構制定的。XC2100E-03S專門針對結構制定使用工作電壓和工作頻率論文檢測，或須得嚴格的調控交叉耦合電路和低放自然損耗的VSWR數據監測。它是可以使用超過150瓦的大工作電壓選用。與熱擴張比率為435的聚酰亞胺基片（如經須嚴格測試圖片的FR0-435）和熱擴張比率完全相同。帶來5/6錫鉛（XC2100A-20P）和6/6浸錫（XC2100A-20S）符合國家RoHS的飾面板材。

XC2100E-03S優點：?2000–2300兆赫?UMTS和其它3G?高工作電壓?特別低的自然損耗?密切交叉耦合?高指明性?制作和諧型?磁帶和法杖?能提供無鉛（含砷）或錫鉛?不靠譜，配合=0.41