CGH21120F都是種氮化鎵(GaN)高電子器件轉遷率晶狀體管(HEMT),專為更高利用率、高增加收益和帶寬力量而制作,這這讓CGH21120F越來越適于1.8-2.3GHz WCDMA和LTE圖像功率放大器操作。晶狀體管分為瓷磚/重金屬活套法蘭封裝形式。
                        
    微波射頻元電子電子元器件
                            CGH21120F大耗油率移動寬帶氮化鎵瓦數120W1.8-2.3GHz收獲15dB利用率35%@20W Pave現貨平臺貨源