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Cree司的CMPA2560025F一種系統設計氮化鎵（GaN）高光電為了滿足光電時代發展的需求，遷出率單晶狀體管（HEMT）的片式微波射頻模塊化電路板（MMIC）。與硅或砷化鎵相較于，GaN都具備著更加高的損壞電流值、更加高的飽和光電為了滿足光電時代發展的需求，漂移快慢和更加高的熱導率。與Si和GaAs單晶狀體管相較于，GaN-hemt還都具備著更加高的工率規格和更寬的速率。一種MMIC涵蓋某個多級反應遲鈍搭配調大器，使如此寬的速率還可以在某個小的占房屋地面的面積的上緊封裝，都具備著銅鎢散熱管器。

表現?24 dB小數字信號增加收益?25 W典型示范PSAT?工作任務直流電壓高達模型28 V?高熱擊穿電壓降?高溫天氣程序運行

利用?超長帶擴大器?金屬控制器?測試軟件議器?EMC縮放器