中文翻譯
紅外光元功率器件
AM025WN-BI-R也是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高寬比為2.5mm。它是一種個淘瓷裝封，運作次數達8千兆赫。BI編按照非常規設計的的陶瓷廠家打包封裝，按照融入式使用原則，攜帶耐折（BI-G）或直（BI）電線。打包封裝上端的法蘭片并且代替直流電等電位連接極、rf射頻等電位連接極和熱區域。此一些具有RoHS。
有特點
達到了8GHz的高頻率方法
增益控制=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
漆層貼裝
有效率，散熱處理的框架
軟件
高各式各樣吸收器
蜂窩有線通信基站
移動寬帶和窄帶變大器
預警雷達
軟件測試檢測儀器
美國軍事
干撓器