AM012WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總寬為1.25豪米。它是在一款 瓷器雙包操控達到10千兆赫。BI系列產品按照特殊化設置的陶瓷廠家封裝,按照放到式布置辦法,代有變形(BI-G)或直(BI)電纜。封裝類型上端的活套法蘭同一時間當作交流電與地面、rf射頻與地面和熱短信通道。此局部符合國家RoHS。
基本特征
達到了10GHz的高頻實際操作
增益控制=17dB,P5dB=37dBm,PAE=51%,漏極=55%@2.8ghz
界面貼裝
很好的水冷的表層
使用
高信息推送器
蜂窩無線wifi基站天線
聯通寬帶和窄帶變大器
雷達探測
考試議器
軍事訓練
電磁波輻射器