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HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器，采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混(hun)頻(pin)器(qi)。 還(huan)提供IF1和(he)IF2混(hun)頻(pin)器(qi)輸入，需通過外部90°混(hun)合(he)選擇(ze)所需的邊(bian)(bian)帶(dai)。 I/Q混(hun)頻(pin)器(qi)拓撲結(jie)構(gou)則降低了干(gan)擾(rao)邊(bian)(bian)帶(dai)濾波(bo)要求。 立維創展(zhan)HMC7912LP5E為混(hun)合(he)型單邊(bian)(bian)帶(dai)上(shang)變頻(pin)器(qi)的小型替代器(qi)件，它(ta)無(wu)需線焊(han)，可以使用(yong)表(biao)貼制造技(ji)術。

HMC7912LP5E應用

• 點對點和點對多點無線電
• 軍用雷達、EW和ELINT
• 衛星通信

• 傳感器

HMC7912LP5E優勢和特點

• 轉換增益：15 dB（典型值）
• 邊帶抑制：22 dBc（典型值）
• 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率：4 dBm（典型值）
• 輸出三階交調截點(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
• 中頻(IF)輸入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
• RF回波損耗：15 dB（典型值）
• LO回波損耗：15 dB（典型值）
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝

HMC7912LP5E結構圖