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HMC219B不是款超大型通用型雙動平衡混頻器，主要包括8引腳超大型塑料材質表貼封裝形式，帶漏出焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單心片微波加熱集成式用電線路(MMIC)混頻器主要包括砷化鎵(GaAs)彩石半導體材料場相應硫化鋅管(MESFET)方法生產，不能自己內部電子元件或配比用電線路。該電子元件能用作概率範圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相調配器或相位很器。 立維創展HMC219B應用 改善的巴倫結構特征，能提供非常出色的本振(LO)至rf射頻(RF)隔離霜開及LO至中頻(IF)隔離霜開的機械性能。具備RoHS原則的HMC219B必須線焊，與高出水量表貼研發枝術兼容。MMIC的機械性能維持可改善體系操作學習效率并事關具備HiperLAN、U-NII和ISM標準條件。

品牌	型號	描述	貨期	庫存
ADI	HMC219BMS8GE HMC219BMS8GETR	2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混頻器	現貨	98

HMC219BMS8GE采用

• 微波無線電
• 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)

• 工業、科研和醫療(ISM)

HMC219BMS8GE優勢和特點

• 轉換損耗：9 dB（典型值）
• LO至RF隔離：40 dB（典型值）
• LO至IF隔離：35 dB（典型值）
• RF至IF隔離：22 dB（典型值）
• 輸入IP3：18 dBm（典型值）
• 輸入P1dB：11 dBm（典型值）
• 輸入IP2：55 dBm（典型值）
• 無源雙平衡拓撲結構
• 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝

HMC219BMS8GE結構圖