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Qorvo的(de)TGF2023-2-05不是款所采用SiC HEMT的(de)分(fen)立試(shi)5.0 mm GaN，運行頻繁 從DC到18 GHz。 

TGF2023-2-05一般說來(lai)出示43 dBm的(de)趨(qu)于穩定輸出的(de)工作(zuo)電功率(lv)，3 GHz時(shi)的(de)工作(zuo)電功率(lv)增加收益為18 dB。大工作(zuo)功率(lv)擴展效應為78.3％，這會使(shi)TGF2023-2-05適宜于便捷(jie)使(shi)用。

該類產品無鉛且適合RoHS標準。

TGF2023-2-05典型應用

TGF2023-2-05主要特(te)征

• 頻繁位置：DC至18 GHz
• 3 GHz時的標稱Psat為43 dBm
• 最大的PAE為78.3％
• 18 dB額定值最大功率增益值
• 偏壓：Vd = 12至32 V，Idq = 100-500 mA
• 單片機芯片規格尺寸：0.82×1.44×0.10mm