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TGF2023-2-20分立單晶體管SiC HEMT上100瓦離散電率GaN Triquint外盤選擇商

正式發布周期:2018-05-31 17:04:39     觀看:7363

Qorvo的TGF2023-2-20是SiCHEMT上的離散20 mm GaN,工作任務次(ci)數(shu)從DC到14 GHz。


平常,TGF2023-2-20在3 GHz時供應50.5 dBm的達到飽和狀態(tai)輸(shu)(shu)入輸(shu)(shu)出(chu),輸(shu)(shu)出(chu)增(zeng)加(jia)收(shou)益為(wei)19.2 dB。較大輸(shu)(shu)出(chu)功率額外添(tian)加(jia)成功率為(wei)70.5%,這(zhe)表明TGF2023-2-20符合于更高效廣泛(fan)應用。


該(gai)物料無鉛(qian)且(qie)契(qi)合RoHS標準(zhun)單位。


品牌 型號 描述 貨期 庫存
TriQuint TGF2023-2-20 頻率范圍:DC至14 GHz,19.2 dB額定功率增益 現貨 36


TGF2023-2-20其主要優點

  • 聲音頻率范疇:DC至14 GHz
  • 3 GHz時標稱Psat為50.5 dBm
  • 比較大PAE為70.5%
  • 19.2 dB額定電功率電功率增益控制
  • 偏壓:Vd = 12至32 V,Idq = 400 - 2000 mA
  • 集成ic長寬:0.82×4.56×0.10mm


TGF2023-2-20一般運用

    • 帶寬wifi手機
    • 軍事體育
    • 環境



幀率世界最大值(MHz) DC
主要頻帶寬度(MHz) 14000
收獲(dB) 19.2
Psat (dBm) 50.5
PAE (%) 70.5
VD (V) 12至32
Idq (mA) 400至2,000
包裝方式品類 封口




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