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HMC637BPM5E是款砷化鎵(jia)(GaAs)、單存儲(chu)芯片微波加熱整合(he)電路(lu)原理(MMIC)、假晶(jing)高(gao)(gao)光(guang)電移遷率(lv)(lv)多晶(jing)體管(pHEMT)、級聯分(fen)散式(shi)熱效率(lv)(lv)放(fang)縮(suo)器，在正常值本職工做(zuo)時(shi)可完成自偏(pian)置(zhi)(zhi)且都具有IDQ自選偏(pian)置(zhi)(zhi)操作(zuo)和收獲值控制進行調節(jie)。該放(fang)縮(suo)器的(de)(de)本職工做(zuo)聲(sheng)音頻(pin)率(lv)(lv)區(qu)間為DC至(zhi)6 GHz，供給(gei)15 dB小(xiao)無線(xian)信號收獲值控制、27.5 dBm輸出(chu)熱效率(lv)(lv)（1 dB收獲值控制縮(suo)短(duan)）、40 dBm一(yi)般(ban)輸出(chu)IP3和4 dB的(de)(de)噪音均值，適用(yong)VDD 12 V交(jiao)流電源的(de)(de)電壓(ya)時(shi)工作(zuo)頻(pin)率(lv)(lv)為335 mA。HMC637BPM5E在DC至(zhi)6 GHz條(tiao)件內(nei)的(de)(de)增益值平淡度（明顯(xian)值±0.5 dB時(shi)）十(shi)分(fen)經驗豐富，而更為時(shi)候(hou)軍事化、外(wai)太空和測驗機械儀(yi)器廣泛應(ying)用(yong)。HMC637BPM5E還兼(jian)具里(li)面連(lian)接至(zhi)50 Ω的(de)(de)導入/轉(zhuan)換(huan)(I/O)，用(yong)貼合(he)RoHS標淮的(de)(de)5 mm × 5 mm LFCSP預制板空腔封裝形(xing)式(shi)，可與高(gao)(gao)存儲(chu)容(rong)量表貼技術應(ying)用(yong)(SMT)裝配機械儀(yi)器兼(jian)容(rong)。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應(ying)用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2