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發布的周(zhou)期:2018-08-15 11:03:00 預(yu)覽(lan):2262
CMD283C3不是款(kuan)聯通寬帶(dai)MMIC低的噪(zao)音變大(da)器(qi),進(jin)行無引腳3x3 mm面上貼(tie)裝(zhuang)二極管封裝(zhuang)。CMD283C3特別(bie)采應用在(zai)要有小(xiao)長度和(he)低功(gong)能消耗的EW和(he)通信技術系(xi)統的。該功(gong)率器(qi)件(jian)重視移(yi)動(dong)寬帶(dai)特性使用了優化系(xi)統,可(ke)給予27 dB的收獲(huo),在(zai)4 GHz時(shi)噪(zao)聲污染公式(shi)為(wei)0.6 dB。CMD283C3應用50歐姆(mu)相配設置,不可(ke)其(qi)他DC傳(chuan)感(gan)器(qi)和(he)RF網口相配。
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Custom mmic
CMD283C3
3-4周
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CUSTOM MMIC低噪聲放大器(LNA)
CUSTOM MMIC已開發出高性能砷化鎵和氮化鎵射頻/微波超低噪聲放大器(LNA),以滿足低偏置電流,低偏置電壓,極低噪聲系數,高增益和寬帶操作的嚴格設計要求。它們的可用頻率范圍為2至45 GHz(L至Q頻段),并采用超小型裸片和小型QFN封裝。我們的GaAs和GaN MMIC LNA適用于高度敏感的SATCOM和雷達應用,并且具有高生存性RF /微波軍用和航空無線電設計。額外的LNA功能包括單個正偏壓電源和20 dBm的輸(shu)入(ru)功率處理。
特性
技(ji)術指(zhi)標
典例(li)
頻繁 (GHz)
2 - 6
增益值(dB)
27
背景噪聲常數(dB)
0.6
相位噪聲源(dBc / Hz)
讀取P1dB(dBm)
16
傳輸Psat(dBm)
18
OIP3(dBm)
26
偏置電阻值Vdd / Vgg(V)
+2到+5 / +1.5
偏置直流電(mA)
42
包
3x3 mm QFN