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CREE的CMPA2735030是種會按照氮化鎵 (GaN) HEMT 的片式微波加熱集成式電源電路 (MMIC)。與硅或砷化鎵相對比較，GaN含有愈加表現出色的特性；例如較高的電壓擊穿場強；較高的飽合電商漂移率和較高的傳熱性常數。與Si和GaAs結晶體管比起來較，GaN HEMT還保證了越高的電功率密度單位和更寬的上行速率。CMPA2735030分為多級電抗配適熱效率拖動器設計的構思，可能體現較為寬的上行寬帶。

優點

穩定電阻高達到 50 V

高穿透場強

橫向為 5mm x 5mm；QFN 封(feng)裝

室溫度安全使用

利用行業

民用型型和航(hang)天軍工(gong)用脈沖造(zao)成的預警(jing)雷達效率變小器

設備標準

敘述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 輸出功率放(fang)小(xiao)器

最(zui)底頻(pin)率(MHz)：2700

最大頻率(MHz)：3500

比較高值輸送工作(zuo)效(xiao)率(W)：30

增加收益值(zhi)(dB：)30.0

操作吸收率（％）：45

額定值電壓降(jiang)(V)：50

結構類型：離散裸基帶芯(xin)片

封裝形式類：Die

技藝(yi)：GaN-on-SiC

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