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更新周期:2018-09-03 14:48:30 查詢:2216
CMD226N3是一種款光(guang)纖(xian)寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器(qi),適(shi)(shi)用瓷磚QFN裝封。當由+15 dBm的(de)信號(hao)動力時,乘(cheng)法(fa)器(qi)在18 GHz的(de)效(xiao)果(guo)幀(zhen)率下能提供10.5 dB的(de)轉型耗損。Fo和3Fo分隔度各自為44 dBc和46 dBc。CMD226N3按照50歐姆適(shi)(shi)合設計方(fang)案(an),不(bu)需要RF接口適(shi)(shi)合。
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Custom mmic
CMD226N3
3-4周
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CUSTOM MMIC專業利用GaAs MMIC技術開發RF /微波有源和無源倍頻器,提供無源倍頻器或有源倍頻器,采用50歐姆匹配設計 - 無需外部DC模塊和RF端口匹配。這些寬帶MMIC乘法器IC在無源器件的4 GHz至15 GHz(C,X,Ku波段)輸入頻段和有源器件的12 GHz至20 GHz(Ku,K波段)范(fan)圍內提供高性能。這些乘法器(qi)MMIC提供高達(da)17 dBm的(de)高輸出功率,并且在小裸片尺寸下具有出色的(de)Fo和3Fo隔離(li)。用于(yu)尋找高隔離(li)度的(de)射(she)頻(pin)/微波電(dian)路設(she)計器(qi)的(de)有源(yuan)和無源(yuan)倍頻(pin)器(qi)MMIC。
本質特征
技術指標
常見
方面介紹
唯(wei)一(yi)被動頻繁 凈增
復(fu)制粘貼速度 (千(qian)兆赫)
7 - 11
輸(shu)出電壓(ya)幾率(lv) (千兆赫)
14 - 22
錄入電機功率(dBm)
15
導出電率(dBm)
五
Fo底部隔離(dB)
44
3 Fo底部隔離(dB)
46
包
3x3mm