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UMS微波射頻CHK5010-99F是一(yi)款(kuan)革命性(xing)的4W氮化鎵高電子遷移(yi)率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功(gong)率應(ying)用提供多功(gong)能(neng)寬帶解(jie)決方案。該(gai)產(chan)品在SiC襯底上(shang)采(cai)用GaNHEMT技術(shu)制造，確保了優異的性(xing)能(neng)和可靠性(xing)。

納米線管以裸晶片內容出示，須要間接配比三極管功能性能夠充分派揮其前景股。那么，恰好這類制定特征 賦予了了CHK5010-99F大量的功能性和大量的適用前景股。最主要特性例如其非常出色的網絡帶寬本事，扶持高達到12 GHz的智能和接連波基本操作。依托于GaN技木，該定制可保證高輸送和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時保證最適性能參數。顯然，該集成化ic享有0.90x0.80x0.1mm的緊奏型尺寸大小，即便 在受限制的三維空間中也就能夠高效集成化。用來其優越的能力，CHK5010-99F還具備RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準的，為了保證節能環保和安全性高。這讓大家在挑選和適用食品時無優，而不比因為對室內環境的有害影晌。自始至終，CHK5010-99F是一個款有必要認準的高功效GaN多晶體管，含有具有廣泛性的app和不錯的職能。其讓人感覺難往的功效和包含相關行業標淮使其變成微波射頻工作電壓app的正規選取，為該行業發展壯大了新的概率性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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