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披露時:2024-06-07 08:41:20 閱讀:961
CREE的(de)(de)CMPA5585025F是一款基(ji)于(yu)氮(dan)化鎵(GaN)高(gao)電(dian)子遷移(yi)率晶(jing)體管(HEMT)的(de)(de)單(dan)片微波集成電(dian)路(MMIC)。相比硅(gui)或砷化鎵,GaN具有更(geng)高(gao)的(de)(de)性(xing)能(neng),包(bao)括更(geng)高(gao)的(de)(de)擊穿電(dian)壓、更(geng)高(gao)的(de)(de)飽和電(dian)子漂移(yi)速度和更(geng)高(gao)的(de)(de)導熱(re)性(xing)。與Si和GaAs晶(jing)體管相比,GaN HEMT提供更(geng)高(gao)的(de)(de)功率密度和更(geng)寬的(de)(de)帶寬。該MMIC采用(yong)10引線金屬/陶瓷法蘭封裝,具有最佳的(de)(de)電(dian)氣(qi)和熱(re)性(xing)能(neng)。

特性:
25db小無線信號收獲 35w典型示范PSAT 辦公敢達28 V 高電阻值擊穿電阻值 高的溫度工作 規格尺寸1.00 x 0.3854英寸 該頻射放小器適用人群于一對一移動電、網絡通信技術各類定位網絡通信技術上升等適用。Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G):
| Parameter | 5.8 GHz | 6.4 GHz | 7.2 GHz | 7.9 GHz | 8.4 GHz | Units |
| Small Signal Gain | 29.5 | 24.0 | 24.0 | 24.0 | 22.0 | dB |
| Output Power1 | 15 | 23 | 20 | 19 | 19 | W |
| Power Gain1 | 21.7 | 19.5 | 17.2 | 18.5 | 18.6 | dB |
| Power Added Efficiency | 30 | 25 | 20.5 | 19 | 19.5 | % |
西安市立維創展技術是CREE的生產商商,得到CREE微波射頻器材主要優勢貨源供應商管理渠道管理,并長年倉庫期貨,以作中國國市廠消費需求。