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　　QPD0030是Qorvo公(gong)司(si)生產的(de)一(yi)款高性能GaN射(she)頻功率(lv)(lv)晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化(hua)硅(gui)高電(dian)子遷移率(lv)(lv)晶體管)技術。這款晶體管在48V電(dian)源軌上工(gong)作，頻率(lv)(lv)范圍從(cong)直流(DC)至5GHz，輸出功率(lv)(lv)在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的主要的特征 屬于：　　- 次數區域：DC至5GHz　　- 打印輸出瓦數(P3dB)：在2.2GHz率下，打印輸出瓦數led光通量49W。　　- 線性網絡增加收益控制：在2.2GHz平率下，典型案例增加收益控制為22.3dB。　　- 非常典型PAE3dB：在2.2GHz速率下，的效率萬代高達71.5%。　　- 辦公電流電壓：48V。　　- 低排熱量二極管封裝：在高額定功率工作任務時能夠排熱，保持安全元器的安全性和生命。　　- 支持軟件反復波(CW)和脈寬工作的方法　　QPD0030不錯操作于Doherty框架中，格外時候是 小行蜂窩、微蜂窩和有源無線天線系統軟件的的移動信號塔設備耗油率增加器的后來級，也不錯當作微蜂窩移動信號塔設備耗油率增加器的帶動器。該元器采用了了企業準則的4x3mm表面上貼裝QFN封裝，更好地融合到當前的rf射頻系統軟件的設計中。

杭州市市立維創展科學技術持有穩定的的購貨產品線，競爭優勢提拱Qorvo陶瓷廠家打包封裝(zhuang)IC和(he)裸存儲芯片好產品，并過量具(ju)有現貨(huo)黃金存量，青(qing)睞詳詢。