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DS855關鍵特征
32位頻率調諧字和13位相位分辨率
具有11位分辨率的片上DAC
11位調相端口
時鐘頻率高達2.2 GHz，正弦波產生高達1.2 GHz
50個后端的互補模擬波形輸出
最差SFDR＞50 dBC
復位引腳啟動第0階段啟動狀態
·高速選通以更新頻率字和DAC輸出頻率
高速選通輸入由微控制器或DSP芯片控制，用于實時啁啾
頻率更新速率與8個時鐘周期一樣快
3.2瓦的能耗與單-5.0V電

品牌	型號	貨期
EUVIS	DS855	3-4周

    

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DS855應用

雷達設計和測試
衛星通信
VSAT
電子戰
無線基站
射頻信號源的產生
儀表和半導體測試器
先進集體的通信網調配

描述
ds855是高速(su)直接(jie)數字頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)合成器（DDS）與一(yi)(yi)個(ge)32位(wei)(wei)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)調(diao)諧(xie)分辨(bian)率(lv)(lv)(lv)，11位(wei)(wei)相位(wei)(wei)調(diao)制(zhi)輸(shu)入(ru)和11位(wei)(wei)的(de)(de)幅度(du)分辨(bian)率(lv)(lv)(lv)。第一(yi)(yi)奈奎(kui)斯特帶中的(de)(de)正(zheng)弦波(bo)可(ke)以(yi)產生到(dao)接(jie)近1.2 GHz（在2.5GHz時(shi)鐘(zhong)(zhong)速(su)率(lv)(lv)(lv)）。初始相位(wei)(wei)可(ke)以(yi)重置(zhi)為零度(du)的(de)(de)正(zheng)弦波(bo)開始。該芯片(pian)有一(yi)(yi)對互補輸(shu)出50Ω后(hou)端。輸(shu)出波(bo)形的(de)(de)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)可(ke)由(you)三十(shi)二(er)個(ge)頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)控制(zhi)位(wei)(wei)VIIO 0~VIY31控制(zhi)。輸(shu)出波(bo)形的(de)(de)相位(wei)(wei)可(ke)以(yi)由(you)11位(wei)(wei)PI00~PIY10相位(wei)(wei)調(diao)制(zhi)輸(shu)入(ru)進行調(diao)制(zhi)。的(de)(de)ds855接(jie)受(shou)互補時(shi)鐘(zhong)(zhong)輸(shu)入(ru)或(huo)(huo)單端時(shi)鐘(zhong)(zhong)輸(shu)入(ru)的(de)(de)特點50?片(pian)回到(dao)終端用戶定(ding)義的(de)(de)閾值(zhi)。頻(pin)(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)分辨(bian)率(lv)(lv)(lv)位(wei)(wei)接(jie)受(shou)TTL或(huo)(huo)CMOS輸(shu)入(ru)電(dian)平。只需(xu)要一(yi)(yi)個(ge)5V的(de)(de)電(dian)源。