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?GTRB266502FC S波長高熱效率RF GaN基SiC變成器CREE

公布的時間:2024-10-25 17:07:29     打開網(wang)頁:662

CREE調小器GTRB266502FC是款630 W(P3dB)Sk線高輸出RF GaN基SiC放小器,迫切需要打造于多標準規定蜂窩狀電運用需要量設計的概念。GTRB266502FC兼具高效性率和無環槽的熱不斷增強打包封裝數據文件。

GTRB266502FC.png

特證

?GaN on SiC枝術(shu)

?填寫所(suo)在兼容(rong)性測試

?不正確稱來設計:

主(zhu):P3dB=297 W

最低(di)值:P3dB=416W

?脈(mo)沖激光CW使用性能指(zhi)數(shu)公(gong)式(shi):2690 MHz,48 V,10μs脈(mo)沖激光長寬比,10%pwm占(zhan)空比,組合起來導出

?所在最(zui)大功率@P3dB=630 W

?P3dB時的生產率=67%

?低熱導率

?足夠RoHS條件

應該用

?蜂窩狀24v電源

南京市(shi)立維創展科學(xue)非常有限新公司軟(ruan)件授權經(jing)銷商CREE微波通信集成電路芯片,要是需(xu)求(qiu)購(gou)CREE產品的,請點擊量左邊人工服務取得聯系人們!!!

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