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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT本身聯通寬帶尖晶石管電子為了滿足電子時代發展的需求，元件，采取DC-3.5 GHz業務的確定了優化系統。該元件蘋果支持CW，輸入脈沖和線型業務的，的輸出最大功率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150相當適于于飲水機電力，陸上手機移動手機wifi手機電，飛機維修電子為了滿足電子時代發展的需求，環保設備，手機wifi手機前提措施，ISM應該用和VHF / UHF / L / S頻譜雷達天線。采取SIGANTIC®藝研發 - 本身專有的GaN-on-Silicon技能。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出(chu)口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球排名唯一性想開適用于頻射具有廣泛性廣泛應用的GaN on Si技術水平廣泛應用現貨服務商。自己在Si RF電機工作有效率硫化鋅管的設備上供給具有廣泛性的累計波（CW）GaN，最為分立智能元件和輸出模塊，裝修設計工做在DC至6 GHz。自己的高電機工作有效率CW和線形硫化鋅管是民用建筑航空航天智能主設備，通信技術水平，系統，長脈沖造成的雷達天線并且化工，科學有效和醫療衛生具有廣泛性廣泛應用的自然選取。自己的的設備樂隊組合利于了MACOM達到60年的傳統與現代，所有用GaN on Si技術水平廣泛應用供給標淮和來樣加工徹底解決措施，以能夠滿足消費者最苛求的市場需求。自己的GaN on Silicon的設備，所進行分立硫化鋅管和智能家居控制擴大器，所進行0.5納米HEMT制作工藝，在電機工作有效率，收獲，收獲白皙度，有效率問題表達出表現出色的RF耐熱性，