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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高熱效率RF GaN變成器，APP于多標準蜂窩狀熱效率變成器方法APP。GTRA262802FC具備著復制粘貼兼容、有速率率和無軸環熱加強打包封裝的性能特點。

規模規格

闡明(ming)：SiC HEMT的高工作電壓(ya)RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

很(hen)低(di)頻繁（MHz）：2490

很高(gao)概率（MHz）：2690

P3dB模擬輸出(chu)工作電壓（W）：250

增(zeng)加收益值（dB）：14

的效率（%）：54

額定值(zhi)線電壓（V）：48

裝封多種類型(xing)：Earless

封裝類型：封裝類型分(fen)立(li)多晶體管(guan)

技(ji)術水平(ping)適用：SiC的GaN

的特點

?GaN-on-SiC HEMT技術軟件應用軟件應用

?復制粘貼兼容

?非常典(dian)型的脈沖(chong)信號(hao)CW耐磨性，2605 MHz，48 V，組(zu)合公式輸(shu)出精(jing)度，16μs電脈沖(chong)長寬，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的內容輸出輸出

-成功率=62%

-增益值值=14.4 dB

?一并在(zai)48 V、38 W（CW）效(xiao)果馬力(li)下的(de)操作10:1 VSWR

?女模特建(jian)模 1A級（會按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低散熱量

?無鉛并滿足了(le)RoHS標準規(gui)范

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