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?PXAE263708NB-V1 S股票波段大電功率rf射頻LDMOS場負效應硫化鋅管

正式發布時(shi)間間隔:2024-11-04 16:57:13     挑選:668

PXAE263708NB-V1是CREE的三款400瓦(P3dB)LDMOS FET,應用于2620至2690 MHz頻段的多原則蜂窩狀瓦數調小器技術應該用應該用。分為搜索輸出精度自適應;高增益值或者具備有無突緣的熱提高封口形態。PXAE263708NB-V1采取獨具特色的LDMOS技藝技術水平;PXAE263708NB-V1有順暢的熱穩固性和不錯的安全管理耐磨性。

PXAE263708NB-V1.png

產品的尺寸規格

說明:高功效RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

最便宜(yi)頻帶(dai)寬度(MHz):2620

較(jiao)高頻點(dian)(MHz):2690

P3dB輸送電率(W):400

增加收益(yi)(dB):13.5

利用率(%):47

額(e)定(ding)功率端電壓(V):28

二極管封裝(zhuang)種(zhong)類:金屬

封裝(zhuang)類(lei)型:封裝(zhuang)類(lei)型結構分立硫化鋅(xin)管

工藝:LDMOS

功能

寬帶網內(nei)部(bu)組(zu)織輸(shu)人(ren)工作(zuo)輸(shu)出(chu)兼容

非(fei)不對稱(cheng)性(xing)Doherty設(she)計制(zhi)作:主P1dB=140W經典值(zhi)(zhi);很高值(zhi)(zhi)P1dB=260 W一般值(zhi)(zhi)

典型(xing)案例的電脈沖CW性;2655MHz;28v;多爾蒂構型(xing);AB類:P1dB=200W時(shi)的打出馬(ma)力;P3dB=400W時(shi)的輸(shu)出的最大功率;效果(guo)=49%(POUT=57 W標準差(cha));收獲=15 dB(POUT=57 W平均值)

才能操(cao)作32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸(shu)送工率(lv)

一體化化ESD保障

無(wu)鉛并夠滿足RoHS標準化

河南(nan)市(shi)立維創展技術有(you)現單位品牌授(shou)權經銷處CREE徽(hui)波電子元(yuan)器件,假如要有(you)購CREE商品,請點(dian)擊進入右面售后(hou)客(ke)服聯(lian)系(xi)起來各位!!!

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