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GTRB204402FC/1是CREE的款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高微電子移動率晶狀體管（HEMT），專注于于多標準化蜂窩狀馬力放縮器工藝應該用具體需求制作。GTRB204402FC有高質量率和無軸環的熱增強學習封裝。

產品設備的規格

簡(jian)述：SiC HEMT上的高工(gong)作效率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

低點規律（MHz）：1930

比(bi)較高速度（MHz）：2020

P3dB打出功效（W）：350

收獲值（dB）：16.3

高效(xiao)、性(xing)價比最高率（%）：58

功率相(xiang)電(dian)壓（V）：48

裝封(feng)門類：Earless

芯片二(er)(er)極管(guan)封(feng)裝(zhuang)：芯片二(er)(er)極管(guan)封(feng)裝(zhuang)分立單晶體管(guan)

工藝：SiC上的GaN

特色

主(zhu)要表(biao)現的智(zhi)能CW能，2020 MHz，48 V，10μs電(dian)脈(mo)沖(chong)間(jian)距，10%pwm占空比(bi)，團體打出

P3dB=350W時(shi)的傷害(hai)瓦(wa)數

P3dB時的優質率=65%

男模特3d模型1C級（按(an)照(zhao)其ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并提供RoHS標準化

西安市立維創(chuang)展新材料(liao)技(ji)術有(you)局限(xian)工司(si)品(pin)牌(pai)授權(quan)經銷商CREE微波加熱電(dian)子器件，如(ru)果必(bi)須 購(gou)CREE產品(pin)的，請單(dan)擊(ji)左測(ce)qq客服電(dian)話聯(lian)系你們！！！