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GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(wa)（P3dB）的(de)SiC上GaN高自(zi)動化遷徙率(lv)尖晶石管（HEMT），運用在(zai)多標準化蜂窩(wo)狀耗油率(lv)放小器技木運用。GTRB226002FC-V1具備(bei)著科(ke)學規范化和無軸環(huan)的(de)熱開(kai)展封裝(zhuang)主要形式主要形式。

物料品種

談(tan)談(tan)：SiC HEMT上的高電機功率(lv)RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

最(zui)低值頻(pin)帶寬(kuan)度（MHz）：2110

最(zui)低幾率（MHz）：2200

P3dB輸入(ru)輸出(chu)效(xiao)率（W）：450

收獲(huo)值（dB）：15

成功率（%）：60

功能

非常(chang)典型的輸(shu)入脈沖CW性(xing)能(neng)指標：10μs電磁高寬比(bi)，10%pwm占(zhan)空比(bi)，2200 MHz，48 V，Doherty卡(ka)具吸收率=65%

收獲值=14dB

P3dB=450W時的(de)模擬輸(shu)出(chu)輸(shu)出(chu)最(zui)大(da)功率

模特(te)兒模特(te)1B級（表明(ming)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱擴散系數

無鉛(qian)并(bing)需求RoHS規定(ding)

GaN基SiC HEMT的技術(shu)

長沙市立(li)維創展(zhan)新材(cai)料(liao)技(ji)術非常有限(xian)裝(zhuang)修公(gong)司(si)(si)商標授權經銷處CREE紅外(wai)光電子器(qi)件(jian)，若是須(xu)得購(gou)CREE產品(pin)設備，請鼠標點擊右下客戶電話聯(lian)系公(gong)司(si)(si)！！！