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GaN寬帶晶體管50 V，200 W，DC - 2.7 GHz
NPT2024 GaN HEMT就是另一種帶寬晶胞管，造成整流 - 2.7GHz任務的使用了優化調整，主要包括推挽式設置。該工作電壓器件適配CW，輸入脈沖和線型任務的，所在工作電壓為服務行業規范標準氟塑料打包封裝，工作電壓為200 W（53 dBm）。NPT2024特別適用性于國防教育wifi路由通信，陸上位移wifi路由電，中國航空網上產品，wifi路由基礎條件服務設施，ISM操作和VHF / UHF / L / S頻譜雷達探測。主要包括SIGANTIC®施工工藝加工制造 - 另一種專有的GaN-on-Silicon新技術。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	NPT2024	1周	200

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特征
 Si HEMT D模式晶體管上的GaN
 100％射頻測試
 68％的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可調諧DC - 2.7 GHz
 適用于線性和飽和應用
 符合RoHS *標準，兼容260°C回流焊
 標準塑料(liao)包裝(zhuang)，帶螺栓(shuan)法蘭

應用
 航空航天與國防
 航空電子學
 國防通訊
 主義
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基(ji)礎設施

產品規格
電源電壓：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
測試頻率：0.9 GHz
最大頻率：2,700 MHz
最小頻率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射頻應用的GaN on Si技術供應商。我們在Si RF功率晶體管產品上提供廣泛的連續波（CW）GaN，作為分立器件和模塊，設計工作在DC至6 GHz。我們的高功率CW和線性晶體管是民用航空電子設備，通信，網絡，長脈沖雷達以及工業，科學和醫療應用的理想選擇。我們的產品組合利用了MACOM超過60年的傳統，即使用GaN on Si技術提供標準和定制解決方案，以滿足客戶最苛刻的需求。我們的GaN on Silicon產品，采用分立晶體管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工藝，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表現出優異的RF性能，