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WS1A2639-V1-R3K是CREE的幾款非不對稱多赫蒂工作電壓變小器引擎（PAM），將GaN on SiC技術運用運用和現時代化的適合和偏置交流電壓手機網絡融合在擁有高端品牌cpu散熱設備的很多層層壓基面材料上。WS1A2639-V1-R3K頻率條件在2496 MHz至2690 MHz。另外食用較高50V的主機電源端電壓；平均值的輸出瓦數規格為6至8 W，很高值指數公式降低，數字5預失真實LTE和5G NR數據信息訊號，瞬時速率高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封殺裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封口中。

物料規模

說明：38.5dBmGaN on SiC功(gong)效(xiao)放縮器(qi)功(gong)能模塊；2496-2690MHz

低(di)速率（MHz）：2496

上(shang)限平率（MHz）：2690

P3dB工作輸出電功(gong)率（W）：50

收(shou)獲值(zhi)（dB）：16.5

速度（%）：57

載荷系數(shu)交(jiao)流電壓（V）：48

打包封裝類型：外(wai)面貼(tie)裝

芯片二極管封裝：芯片二極管封裝分(fen)立硫化鋅管

技(ji)術(shu)使用：SiC上的GaN

顯著特點

GaN基(ji)SiC技術(shu)工藝應用(yong)領域

從電子器件雙側(ce)主要導和高達值(zhi)子調小器擁有柵極偏置(zhi)線(xian)電壓24v電源(yuan)

融合化諧波消費終端

無鉛并滿足了RoHS條件

網(wang)友推(tui)薦(jian)的能(neng)夠安裝程序是WSGPA01

廣州 市立維創展科技非常有限機構非常有限機構商標授(shou)權經(jing)銷處CREE紅外(wai)光元(yuan)器件封(feng)裝，若是要有購(gou)CREE產品的，請鼠標點擊(ji)右面客服熱線鏈接你們！！！