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?TAT7467E1Frf射頻增加器

發布(bu)消息時間段:2024-11-29 17:01:22     訪問(wen) :767

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TAT7467E1F.png

常見的特點

pHEMT電子器件科技

充(chong)分考慮DOCSIS 3.1模擬輸(shu)出(chu)所需(xu)

+5V外接電(dian)源電(dian)壓降

380mA電流大(da)小在使用

板下線性化

+5V SOIC8調大器(qi)的重(zhong)命名(ming)

SOIC-8封裝類型

類型選用

都分配好變小器

DOCSIS邊(bian)沿QAM

軟啟動器調大器

EdgeQAM工作輸出級

MDU傳輸

反射器/安裝控制器變(bian)成器

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