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CMPA0060002D是一種種具有氮化鎵（GaN）高電子知識率晶狀體管（HEMT）的片式微波射頻模塊化電路系統（MMIC）。與硅或砷化鎵差距較，GaN兼有進一步良好的特性，蘊含會高的熱擊穿場強、會高的是處于飽和狀態網上漂移時速與會高的導熱性比率。與Si和GaAs單晶體管相對于較，GaN HEMT還供應越高的公率比熱容和更寬的帶寬使用。CMPA0060002D選擇分布不均式（導波）擴大器制作理念，能夠在更小的負載使用面積內達到極寬的帶寬的配置。

表現

?17 dB小(xiao)信息增加(jia)收益(yi)值

?2 W典(dian)范(fan)PSAT

?電機額(e)定功(gong)率相電壓敢達28V

?高熱擊穿場強

?溫度過高度便用

?尺寸0.169 x 0.066 x 0.004厘米(mi)

利用

?寬度帶變小器

?光仟線win7控制(zhi)器

?試驗設施

?EMC縮放(fang)器(qi)驅程器(qi)

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