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CREE的1700 V氧化硅（SiC）MOSFET也可以保證 相對比較較小、高率的工作效率互轉整體。與硅基處置模式好于較，CREE氫氟酸處理硅技能也能從而提高程序最大功率溶解度、較高的操作率、較小的組成部分裝修設計、更冷門的的功能組件、較小的功能組件標準（電傳感器、電阻器、濾波器和變電器）和一體化代價的效率。

癥狀

12-15V柵極驅動下(xia)載電壓降

適于于反激式廣泛應用時的0V關掉電(dian)流電(dian)壓(ya)

低(di)電容（電容器）極的速度開(kai)關按鈕

漏(lou)極和(he)源極相(xiang)互的寬熱(re)擊穿電(dian)壓(ya)值和(he)空隙

的優勢

較高(gao)的機(ji)系(xi)統(tong)熱效(xiao)率和工作效(xiao)率導熱系(xi)數(shu)

能(neng)提供多(duo)個12-48V機械設備，消減(jian)設備供給(gei)

較高的辦公率

典型示范應用領域

電原轉移

面板直流電源線

電壓直流電源

表明1500V的體統(tong)

高壓變壓器DC/DC轉(zhuan)移器

電動機把握器

智能馬力適用

南(nan)京市立維(wei)創展科技限制(zhi)工廠(chang)(chang)限制(zhi)工廠(chang)(chang)授權證書銷(xiao)售(shou)CREE紅外光集成電路芯片，若是需用購CREE新(xin)產品，請(qing)彈框左下qq客服練習自(zi)己(ji)！！！