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900 V分立氫氟酸處理硅MOSFET CREE

上傳(chuan)時間間隔(ge):2024-12-17 11:21:28   ;  看:672

CREE加密了其在無定形碳硅(SiC)系統中的(de)(de)(de)主導(dao)作用(yong)身份,低電(dian)(dian)感(gan)分(fen)立(li)(li)封裝類型配備寬(kuan)沿面和漏極(ji)(ji)與(yu)源(yuan)極(ji)(ji)左右的(de)(de)(de)隙縫空距(ju)(~8mm)。900 V分(fen)立(li)(li)增(zeng)碳硅MOSFET智(zhi)能(neng)(neng)化運行全新的(de)(de)(de)MOSFETIC芯(xin)片高(gao)頻(pin)率性(xing)能(neng)(neng)參數(shu),因此出具應用(yong)軟(ruan)件(jian)于高(gao)嚴重污染生態(tai)環境的(de)(de)(de)超期電(dian)(dian)氣(qi)設備消(xiao)毒。單(dan)獨的(de)(de)(de)的(de)(de)(de)開(kai)爾文源(yuan)管腳避免了熱效率電(dian)(dian)感(gan);所以電(dian)(dian)開(kai)關損耗費避免了30%。規劃師是能(neng)(neng)否借著從硅基轉型硅基來減輕電(dian)(dian)子元(yuan)件(jian)數(shu);根據(ju)增(zeng)大按(an)鈕使用(yong)性(xing)能(neng)(neng),是能(neng)(neng)否根據(ju)三(san)電(dian)(dian)平(ping)拓(tuo)補關系變為(wei)成更高(gao)的(de)(de)(de)效的(de)(de)(de)兩電(dian)(dian)平(ping)拓(tuo)補關系。

表現

在一體化工做熱(re)度使用范圍內,最高端電壓(ya)是900V Vbr

帶動力源的低(di)抗阻封裝

高阻擋端電壓,低(di)RDS(關掉)

低方向回到(Qrr)的(de)高效率本征(zheng)肖特基二極管(guan)

不助進串并聯,運用簡(jian)便

MOSFET.png

資源優勢

使(shi)用避免轉(zhuan)換開關和獲(huo)取材料耗費(fei)升降控制系(xi)統效(xiao)應(ying)

保證高面板(ban)開關速度控制

加強(qiang)平(ping)臺級耗油率容重

有效降(jiang)低系統的規(gui)模較;重量;和加熱(re)需要量

通電新的硬轉(zhuan)換開關拓撲結(jie)構(Totem Pole PFC)

先進典型使用

直流電機把握程序

新清潔能源(yuan)電動(dong)車(che)電動(dong)車(che)充電樁操作系統

應急方(fang)案電(UPS)

容量電池檢驗平臺

新綠色能源自高鐵動車快速的進行充電系統

車載電子(zi)進(jin)行電源適配(pei)器產(chan)品

鏈傳動控制系統

電焊焊接加工

武漢市立維創展科技產業有限廠家(jia)廠家(jia)商標授(shou)權經銷處CREE微(wei)波加熱功率器件,假(jia)如需要購CREE成品,請雙擊右邊克服關聯(lian)我(wo)們(men)公(gong)司!!!

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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