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?第三點代650伏裸片氧化硅MOSFET

發(fa)布公告時期:2025-02-13 15:38:51     瀏覽訪問:463

CREE借助于其三四代650伏氧化硅MOSFET,進一個步驟狠抓了在氫氟酸處理硅方法業務領域的領航者位置。第三(san)代650伏裸片(pian)碳化硅(gui)MOSFET可(ke)在更大范圍的電(dian)網能源(yuan)整體(ti)中控制(zhi)電(dian)網能源(yuan)裝換的不同規(gui)格的中智能化、輕評(ping)定與更高效(xiao)化。其(qi)借(jie)助于業內領先地位的導通電(dian)容和(he)開關按鈕消耗的表現,在650伏氫氟酸(suan)處理硅MOSFET產品的中獲得(de)成(cheng)功,為軟件(jian)獲得(de)了(le)前所并未的有效(xiao)率(lv)(lv)和(he)最(zui)大功率(lv)(lv)比熱(re)容。

CREE.png

特質

在(zai)高濕先決條件(jian)下增添(tian)出(chu)過低(di)的(de)導通內阻,很好的(de)有效降低(di)力(li)量損耗量。

低內寄生電解(jie)電容的設計,減(jian)輕不(bu)用(yong)說要(yao)的電磁(ci)波要(yao)素(su)和體力流失。

配齊(qi)兼(jian)有(you)超底單向可以恢(hui)復速(su)率(lv)的(de)飛速(su)整流二(er)極(ji)管,進第一步提(ti)升(sheng)自己開關按鈕(niu)性能指標。

支持軟(ruan)件較高溫度實(shi)操(Tj=175°C),拓展了應用(yong)3d場景(jing)和信(xin)得(de)過性。

優點

依據可觀(guan)降(jiang)旋轉開關和牽(qian)張反射(she)損耗率,上升了整(zheng)體化系統的成功率。

做到(dao)了(le)高頻點率的(de)電源開關作業,改善了(le)體統(tong)的(de)反應流速(su)和靈(ling)活多變性。

增進了(le)系統軟件級的最大功率導熱系數(shu),令在(zai)限制的區域內(nei)可能部(bu)暑(shu)更(geng)雄厚的功能模(mo)塊。

減很小(xiao)系統的的尺碼、體積和水冷卻使用(yong)需求,拉(la)低了縱向(xiang)成本投入和運維繁多(duo)度。

軟件科技領域

高(gao)(gao)機械(xie)性能化工電(dian)源適配器,為化工生產加工提供了安穩(wen)、高(gao)(gao)效能的電(dian)氣幫(bang)助。

業務(wu)器/聯通wifi網絡電源模塊,提高認識(shi)統計數據基(ji)地和溝通wifi網絡的增強運作。

電(dian)動(dong)小(xiao)汽車行業充能裝(zhuang)置,t加速電(dian)動(dong)小(xiao)汽車行業的(de)掃(sao)盲和(he)充能吸收(shou)率的(de)發(fa)展。

存儲(chu)系統(tong)(ESS),提升電(dian)力發(fa)熱(re)能源貯存和分(fen)配原則,加(jia)強電(dian)力發(fa)熱(re)能源利用速率。

無規律性電(dian)壓(UPS),為重要性環(huan)保設(she)備(bei)出示可靠的(de)的(de)電(dian)力(li)設(she)備(bei)保駕護航(hang)。

鋰電(dian)池處理(li)系統(tong)化(BMS),精準(zhun)度監控攝像頭和的管理(li)微型蓄干(gan)電(dian)池情況,增加微型蓄干(gan)電(dian)池在使(shi)用(yong)蓄電(dian)量。

廣州市立維創展現代科技有效企業CREE的代理商商,具有CREE微波射頻元器優質供貨合同校園推廣渠道,要確保原裝進口正品行貨。,若是必須要購CREE新(xin)產品(pin),請取得(de)在線溝通大家!!!


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Tjmax

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CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C


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