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EPM3-0750-0010D:750V車級氫氟酸處理硅MOSFET(Gen 3+)的優勝之選

發布了精力:2025-07-30 16:28:50     網頁瀏覽:77

在增碳硅(SiC)教育領域,Wolfspeed的客車750V E產品裸存儲芯片SiC MOSFET——EPM3-0750-0010D展示精湛,定期領航這個行業,強院于汽年應運自制并無法汽年細則。

性能特點

各類轎(jiao)(jiao)車v認(ren)證服(fu)務:用嚴厲(li)v認(ren)證服(fu)務,滿足需要(yao)各類轎(jiao)(jiao)車制造業對穩定(ding)可靠性(xing)指標與安全問題高性(xing)的高條件。

高(gao)阻(zu)(zu)壓(ya)與(yu)低RDS(ON)穩(wen)溫性:高(gao)阻(zu)(zu)隔工作(zuo)電(dian)壓(ya),制(zhi)造業(ye)世界領先的低導通(tong)電(dian)阻(zu)(zu)值熱可靠性,低導通(tong)自然損耗、高(gao)高(gao)質量(liang)條件。

耐(nai)閂鎖(suo):規避發現異常閂鎖(suo),增(zeng)強(qiang)信得過性(xing)與安穩性(xing),極大減少出(chu)現問(wen)題的(de)。

適應高柵(zha)阻安(an)裝控(kong)制器(qi):與安(an)裝控(kong)制器(qi)高柵(zha)極熱敏電阻匹配,的(de)設(she)計十分(fen)靈(ling)活多變。

優(you)越(yue)

提(ti)效降(jiang)本:調(diao)低轉換開關與抗擾消耗,挺高設計(ji)使用率,減掉清潔能源資源浪費,調(diao)低運營的料(liao)工費。

改善操作(zuo)系統:削(xue)減長寬比(bi)、得到緩解自重,降底散熱追(zhui)求,簡單化設計制作(zuo)、降底生產成本,升高是真(zhen)的(de)嗎(ma)性。

高速度易(yi)(yi)用:兼容高打開速度,訴求高效加(jia)載(zai)失敗(bai)訴求;著(zhu)力推進于低(di)RDS(ON)設計(ji)構思,易(yi)(yi)串連,兼容標準規定柵極控制。

EPM3-0750-0010D:750V汽車級碳化硅MOSFET(Gen 3+)的卓越之選

一般app

小汽(qi)車轉動平臺:高效應的率電能轉化成,加強機效應與柴油經(jing)濟社會性(xing)。

三(san)相(xiang)高(gao)壓(ya)電機能夠:小于(yu)操作三(san)相(xiang)高(gao)壓(ya)電機,的保(bao)障高(gao)效(xiao)、性價比(bi)最高(gao)使用,提生種植與新(xin)產高(gao)水平量。

nvme固態真空斷路器(qi):很快切斷洛天依感應電流,庇護儀器(qi)與體系很安全。

EPM3-0750-0010D 750V汽(qi)車的級(ji)無定(ding)形(xing)碳(tan)硅MOSFET(Gen 3+)效果睿智、優越性(xing)(xing)突顯(xian)出、應(ying)用這個領域普遍,是(shi)新汽(qi)車機械性(xing)(xing)網上這個領域的好計劃。

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Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

Qualification

EPM3-0750-0010D

750 V

10 mΩ

178 A

267 nC

340 pF

737 nC

25 ns

175 °C

Gen 3+

Automotive


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