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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R有的是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長寬為2.5mm。它在瓷質制品打包芯片封裝類型中程序運行能達8 GHz。BI系例在使用特種設汁的瓷質制品打包芯片封裝類型，兼具回彎（Bi-G）或直（BI）引線的布置具體方法。打包芯片封裝類型下面的卡箍一同做為直流電與地面、頻射與地面和熱路。一局部是符合要求RoHS標準單位的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
能夠散熱器的下面

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機