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描述
AMCOM的AM00 5WN BI-R也是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極總寬為0.5mm。它在淘瓷圖片裝封中行駛led光通量12 GHz。BI系列的選用層次性開發的淘瓷圖片裝封，具有著彎度（Bi-G）或直（BI）引線的按照方式方法。裝封下端的卡箍另外算作直流電壓保護接地裝置、頻射保護接地裝置和熱路。這部電視劇分是具備RoHS規格的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM005WN-BI-R	1周	60

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特征
高達12 GHz的高頻操作
增益＝15dB，p5dB＝33.5dBm，PAE＝51%，漏極＝56% @ 3GHz。
表面貼裝
能夠散熱性能的底

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機