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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙全系例的有部位。HIFET是部位篩選的認證機 配值，用做高線電壓、高耗油率和光纖寬帶操作。該電子元額定功率器件的總電子元額定功率器件外邊為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高耗油率紅外光操作而設定的，操作的頻率達6GHz。BI全系例通過一項特出設定的衛浴陶瓷芯片封裝類型，兼有彎曲成或垂線的引線安裝程序辦法。芯片封裝類型尾部的活套法蘭也為交流電與地面極、rf射頻與地面極和熱路。這一HiFET是包含RoHS基準的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
使用于能夠cpu散熱的陶瓷廠家打包封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信